flash

فلش مموري يك تراشه حافظه غير فرار است كه براي ذخيره سازي و انتقال داده ها بين رايانه شخصي (PC) و دستگاه هاي ديجيتال استفاده مي شود. قابليت برنامه ريزي مجدد و پاك شدن الكترونيكي را دارد. اغلب در درايوهاي فلش USB، پخش كننده هاي MP3، دوربين هاي ديجيتال و درايوهاي حالت جامد يافت مي شود. قيمت فلش usb3

ايا فلش مموري را ميشناسيد؟

فلش مموري نوعي حافظه فقط خواندني قابل برنامه ريزي (EEPROM) قابل پاك شدن الكترونيكي است، اما ممكن است يك دستگاه ذخيره سازي حافظه مستقل مانند درايو USB نيز باشد. EEPROM نوعي دستگاه حافظه داده است كه از يك دستگاه الكترونيكي براي پاك كردن يا نوشتن داده هاي ديجيتال استفاده مي كند. فلش مموري يك نوع متمايز از EEPROM است كه در بلوك هاي بزرگ برنامه ريزي و پاك مي شود. قيمت انواع فلش مموري عمده

 فلش مموري از چه ساخته شده؟

فلش مموري از ترانزيستورهاي دروازه شناور براي ذخيره داده ها استفاده مي كند. ترانزيستورهاي دروازه شناور يا MOSFET دروازه شناور (FGMOS)، مشابه ماسفت است كه ترانزيستوري است كه براي تقويت يا سوئيچينگ سيگنال هاي الكترونيكي استفاده مي شود. ترانزيستورهاي دروازه شناور از نظر الكتريكي ايزوله هستند و از يك گره شناور در جريان مستقيم (DC) استفاده مي كنند. حافظه فلش شبيه به MOFSET استاندارد است، با اين تفاوت كه ترانزيستور به جاي يك دروازه، دو گيت دارد.Techopedia حافظه فلش را توضيح مي دهدفلش مموري اولين بار در سال 1980 معرفي شد و توسط دكتر فوجيو ماسوكا، مخترع و مدير كارخانه در سطح متوسط ​​در شركت توشيبا (TOSBF) توسعه يافت. نام فلش مموري به دليل توانايي آن براي پاك كردن يك بلوك از اطلاعات "در يك فلش" گرفته شد. هدف دكتر ماسوكا ايجاد يك تراشه حافظه بود كه اطلاعات را در هنگام قطع برق حفظ كند.دكتر ماسوكا همچنين نوعي حافظه به نام SAMOS را اختراع كرد و يك حافظه 1 مگابايتي با دسترسي تصادفي پويا (DRAM) توسعه داد. در سال 1988، شركت اينتل اين حافظه را توليد كرد. اولين تراشه فلش تجاري از نوع NOR، كه جايگزين تراشه حافظه دائمي فقط خواندني (ROM) روي مادربردهاي رايانه شخصي شد كه شامل سيستم عامل اصلي ورودي/خروجي (BIOS) بود.
يك تراشه فلش مموري از گيت هاي NOR يا NAND تشكيل شده است. NOR نوعي سلول حافظه است كه توسط اينتل در سال 1988 ايجاد شد. رابط دروازه NOR از آدرس هاي كامل، گذرگاه هاي داده و دسترسي تصادفي به هر مكان حافظه پشتيباني مي كند. عمر مفيد فلاش NOR 10000 تا 1000000 چرخه نوشتن/پاك كردن است.
NAND يك سال پس از توليد NOR توسط توشيبا توسعه يافت. سريعتر است، هزينه هر بيت كمتري دارد، به سطح تراشه كمتري در هر سلول نياز دارد و انعطاف پذيري بيشتري دارد. عمر مفيد يك گيت NAND تقريباً 100000 چرخه نوشتن/پاك كردن است. در فلش گيت NOR هر سلول داراي يك انتهاي متصل به يك خط بيت و سر ديگر متصل به يك زمين است. اگر خط كلمه "بالا" باشد، ترانزيستور خط بيت خروجي را پايين مي آورد.

 ويژگي هاي فلش مموري

فلش مموري ويژگي هاي زيادي دارد. اين بسيار ارزان تر از EEPROM است و براي ذخيره سازي حالت جامد مانند رم استاتيك (SRAM) به باتري نياز ندارد. غير فرار است، زمان دسترسي بسيار سريعي دارد و در مقايسه با هارد ديسك مقاومت بيشتري در برابر شوك جنبشي دارد. فلش مموري بسيار بادوام است و مي تواند فشار شديد يا دماي شديد را تحمل كند. مي توان از آن براي طيف گسترده اي از برنامه ها مانند دوربين هاي ديجيتال، تلفن هاي همراه، رايانه هاي لپ تاپ، PDA (دستيارهاي ديجيتال شخصي)، پخش كننده هاي صوتي ديجيتال و درايوهاي حالت جامد (SSD) استفاده كرد.